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SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Artikelnummer
SI2325DS-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
510pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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