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SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Artikelnummer
SI2323DS-T1
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1020pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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