Kaufen Vishay Siliconix SI2323DS-T1 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

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SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Artikelnummer

SI2323DS-T1

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1020pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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