Kaufen Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

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Datenblätter

SI2316BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Artikelnummer

SI2316BDS-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 1.66W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

350pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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