Kaufen Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

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Datenblätter

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Artikelnummer

SI2312BDS-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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