Kaufen Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

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Datenblätter

SI2305ADS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Artikelnummer

SI2305ADS-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

740pF @ 4V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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