Kaufen Vishay Siliconix SI2303BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

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Datenblätter

SI2303BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Artikelnummer

SI2303BDS-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.49A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

180pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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