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SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Artikelnummer
SI2303BDS-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
180pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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