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SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Artikelnummer
SI1900DL-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung max
270mW
Gerätepaket des Lieferanten
SC-70-6 (SOT-363)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
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