Kaufen Vishay Siliconix SI1470DH-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

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Datenblätter

SI1470DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

Artikelnummer

SI1470DH-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket des Lieferanten

SC-70-6 (SOT-363)

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 2.8W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

510pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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