Kaufen Vishay Siliconix SI1400DL-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6

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Datenblätter

SI1400DL-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6

Artikelnummer

SI1400DL-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket des Lieferanten

SC-70-6 (SOT-363)

Verlustleistung (max.)

568mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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