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IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Artikelnummer

IRLD014

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Gerätepaket des Lieferanten

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

400pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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