Kaufen Vishay Siliconix 2N7002E-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

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Datenblätter

2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

Artikelnummer

2N7002E-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

240mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

21pF @ 5V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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