ON Semiconductor
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2N7000
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2N7000

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Artikelnummer
2N7000
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten
TO-92-3
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
50pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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