Kaufen Vishay Semiconductor Diodes Division B125C800G-E4/51 DIODE BRIDGE 0.9A 200V WOG

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B125C800G-E4/51

DIODE BRIDGE 0.9A 200V WOG

Artikelnummer

B125C800G-E4/51

Hersteller/Marke

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

Standard

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-Circular, WOG

Gerätepaket des Lieferanten

WOG

Diodentyp

Single Phase

Spannung – Spitzenumkehr (max.)

200V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

900mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 900mA

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

10µA @ 200V

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