Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH,L1Q MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP - YYIC

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TPH5900CNH,L1Q

Datenblätter

TPH5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

Artikelnummer

TPH5900CNH,L1Q

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP Advance (5x5)

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

-

Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

600pF @ 75V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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