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TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Artikelnummer
TK9A90E,S4X
Hersteller/Marke
Serie
π-MOSVIII
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220SIS
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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