Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Artikelnummer

TK90S06N1L,LQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252-3

Verlustleistung (max.)

157W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

90A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5400pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 26068 PCS

Kontaktinformationen