Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

China
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TK80S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Artikelnummer

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK+

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

80A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4200pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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