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TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Artikelnummer
TK6Q60W,S1VQ
Hersteller/Marke
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gerätepaket des Lieferanten
I-PAK
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
390pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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