Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

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Datenblätter

TK6P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Artikelnummer

TK6P65W,RQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 180µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

390pF @ 300V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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