Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q) MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

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TK60D08J1(Q)

MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

Artikelnummer

TK60D08J1(Q)

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220(W)

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5450pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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