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TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Artikelnummer
TK560P65Y,RQ
Hersteller/Marke
Serie
DTMOSV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
380pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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