Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1,RQ(S MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

China
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TK45P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

Artikelnummer

TK45P03M1,RQ(S

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

45A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1500pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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