Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ(S MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

China
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TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Artikelnummer

TK3P50D,RQ(S

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

280pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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