Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

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TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Artikelnummer

TK39A60W,S4VX

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3 Full Pack

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220SIS

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

38.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4100pF @ 300V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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