Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3

China
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3

Artikelnummer

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK+

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6510pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

+10V, -20V

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