Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

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Datenblätter

SSM6N58NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Artikelnummer

SSM6N58NU,LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-WDFN Exposed Pad

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

6-UDFN (2x2)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

129pF @ 15V

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