Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

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Datenblätter

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Artikelnummer

SSM6H19NU,LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

6-UDFN (2x2)

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

130pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 8V

Vgs (Max)

±12V

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