Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

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Datenblätter

SSM6K202FE,LF

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Artikelnummer

SSM6K202FE,LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Gerätepaket des Lieferanten

ES6 (1.6x1.6)

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.5A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

270pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4V

Vgs (Max)

±12V

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