Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE(TE85L,F) MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

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SSM6J53FE(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Artikelnummer

SSM6J53FE(TE85L,F)

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Gerätepaket des Lieferanten

ES6 (1.6x1.6)

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

136 mOhm @ 1A, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

568pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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