Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J51TUTE85LF MOSFET P-CH 12V 4A UF6

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SSM6J51TUTE85LF

MOSFET P-CH 12V 4A UF6

Artikelnummer

SSM6J51TUTE85LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD, Flat Leads

Gerätepaket des Lieferanten

UF6

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 2A, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1700pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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