Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU(TE85L,F MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

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Datenblätter

SSM6J409TU(TE85L,F

MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

Artikelnummer

SSM6J409TU(TE85L,F

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSV

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD, Flat Leads

Gerätepaket des Lieferanten

UF6

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.1 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1100pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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