Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

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HN4K03JUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

Artikelnummer

HN4K03JUTE85LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Gerätepaket des Lieferanten

USV

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

8.5pF @ 3V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V

Vgs (Max)

10V

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