Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

BAS516,L3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Artikelnummer

BAS516,L3F

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-79, SOD-523

Gerätepaket des Lieferanten

ESC

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

250mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

200nA @ 80V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

150°C (Max)

Kapazität @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 36861 PCS

Kontaktinformationen