2SK2009TE85LF
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Artikelnummer
2SK2009TE85LF
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SC-59-3
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
70pF @ 3V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V
Vgs (Max)
±20V
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