Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI

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2SJ168TE85LF

MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI

Artikelnummer

2SJ168TE85LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SC-59

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

85pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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