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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Artikelnummer
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller/Marke
Serie
Benand™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tray
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
67-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten
67-VFBGA (6.5x8)
Spannungsversorgung
1.7 V ~ 1.95 V
Speichertyp
Non-Volatile
Speichergröße
4Gb (512M x 8)
Zugriffszeit
25ns
Taktfrequenz
-
Speicherformat
Flash
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
25ns
Speicherschnittstelle
Parallel
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