Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation US1B R3G DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

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Datenblätter

US1B R3G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Artikelnummer

US1B R3G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-214AC, SMA

Gerätepaket des Lieferanten

DO-214AC (SMA)

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 100V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kapazität @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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