Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH X0G MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

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TSM900N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

Artikelnummer

TSM900N06CH X0G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gerätepaket des Lieferanten

TO-251 (IPAK)

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

500pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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