Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

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TSM60N900CH C5G

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

Artikelnummer

TSM60N900CH C5G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Not For New Designs

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-251 (IPAK)

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

480pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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