Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS RLG MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP

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Datenblätter

TSM600P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP

Artikelnummer

TSM600P03CS RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP

Verlustleistung (max.)

2.1W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

560pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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