Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

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Datenblätter

TSM070NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Artikelnummer

TSM070NB04LCR RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerLDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PDFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

15A (Ta), 75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2151pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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