Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

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TSM015NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

Artikelnummer

TSM015NA03CR RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PDFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

205A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4243pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±30V

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