Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

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Datenblätter

TSM052N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Artikelnummer

TSM052N06PQ56 RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PDFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3686pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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