Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR 40V 121AMP 3.3MO N CHANNEL MOSFE

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Datenblätter

TSM033NB04CR

40V 121AMP 3.3MO N CHANNEL MOSFE

Artikelnummer

TSM033NB04CR

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PDFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 107W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

21A (Ta), 121A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5022pF @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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