Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation S4M V7G DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

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Datenblätter

S4M V7G

DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Artikelnummer

S4M V7G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-214AB, SMC

Gerätepaket des Lieferanten

DO-214AB (SMC)

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 4A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

10µA @ 1000V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kapazität @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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