Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation S3JB R5G DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

S3JB R5G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Artikelnummer

S3JB R5G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-214AA, SMB

Gerätepaket des Lieferanten

DO-214AA (SMB)

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

10µA @ 600V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kapazität @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 25697 PCS

Kontaktinformationen