Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation HS2J R5G DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

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Datenblätter

HS2J R5G

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Artikelnummer

HS2J R5G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-214AA, SMB

Gerätepaket des Lieferanten

DO-214AA (SMB)

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 600V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kapazität @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

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