Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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ESH3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Artikelnummer

ESH3B V6G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-214AB, SMC

Gerätepaket des Lieferanten

DO-214AB (SMC)

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 100V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Kapazität @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

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