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STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Artikelnummer
STW54NM65ND
Hersteller/Marke
Serie
FDmesh™ II
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Verlustleistung (max.)
350W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
188nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6200pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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