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STS3DNE60L

STS3DNE60L

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Artikelnummer
STS3DNE60L
Hersteller/Marke
Serie
STripFET™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
2W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
815pF @ 25V
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